MX29LV160CTTC-70G
特点•扩展单电源电压范围2.7V至3.6V的•2097152×8 / 1048576×16切换•单电源操作- 3.0伏操作读取，擦除和程序操作，•完全兼容mx29lv160b装置•快速访问时间：55r / 70 / 90ns•低功耗有源电流30mA的最大0.2ua典型待机目前•命令登记建筑字节/字编程（9us / 11us典型）-扇区擦除（部门结构16k-bytex1,8k-bytex2，32k-bytex1，和64K字节X31）•自动擦除（芯片和部门）和自动程序自动擦除扇区的任何组合witherase悬浮能力。自动程序验证在specifiedaddress•数据擦除暂停/擦除简历-暂停部门擦除操作，读取数据，数据或程序，任何部门不被擦除，然后恢复擦除。•状态回复的数据#轮询和触发位检测程序和擦除操作completion.general说明mx29lv160c T／B是一个16兆位闪存memoryorganized为2M字节的8位或16位100万字。旺宏的快闪记忆体提供最具成本有效和可靠的读/写非挥发性随机存取存储器。的mx29lv160c T/B封装在44 pinsop，48引脚TSOP和48球CSP。它的目的是通过重新编程和擦除操作系统或standardeprom程序员。标准mx29lv160c T／B提供了访问时间和55ns，允许高速微处理器的处理器运行无等待状态。为了消除总线技术，该mx29lv160c T / B有单独的芯片使能（CE #）和输出（OE #）控制。旺宏的快闪记忆体扩充EPROM functionalitywith电路电擦除和编程。themx29lv160c T／B使用一个命令登记managethis功能。命令登记允许的TTL电平控制输入和固定电源情况擦除和编程，同时保持最大的EPROM compatibility.mxic Flash技术可靠地存储记忆contentseven经过100000次擦除和编程。的mxiccell设计优化的擦除和programmingmechanisms。此外，结合advancedtunnel氧化处理和低内部电气领域的擦除和编程操作产生可靠的CY保鲜。的mx29lv160c T／B采用2.7V ~ 3.6v VCC实现高可靠性和autoprogram擦除和擦除算法。闭锁保护程度最高的是达到和旺宏的专有非外延工艺。闩锁保护证明应力高达100毫安onaddress和数据引脚从1V到VCC + 1V