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低噪声高线性芯片FPD2250SOT89E

发布日期 :2017-03-20 10:55访问:2次发布IP:210.79.69.108编号:4163496
分 类
专用集成电路
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FPD2250SOT89E

低噪声高线性包装phemtspecifications更改恕不noticefiltronic化合物半导体发布者:+ 44(0)1325 301111fax:+ 44(0):1325 306177email sales@filcs.comwebsite:www.filtronic.com1datasheet v3.0fpd2250sot89features(1850mhz):•29 dBm的输出功率(P1dB)•小信号增益14 dB(SSG)•1分贝的噪声系数•44 dBm输出IP3•功率附加效率50%•fpd2250sot89e RoHS的compliantgeneral描述:是的fpd2250sot89包装depletionmode砷化铝镓/砷化铟镓假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)。它是利用一个0.25米×2250米μμ肖特基barriergate,通过高分辨率的步进basedphotolithography定义。双槽gatestructure最小的寄生效应与优化,在一定范围内的偏差条件下改进线性的外延结构和I / P功率水平。包装:典型应用:•司机或输出阶段在PC / cellularbase站发射机放大器•高截点LNAs•WLL和WLAN系统

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